IGBT 30NC60KD

Описание и технические характеристики IGBT-транзистора 30NC60KD

IGBT 30NC60KD – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с антипараллельным диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 60 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,83 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW30N60T
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N60SMD
• Mitsubishi: CM30DY-24H

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PC30UD (International Rectifier)
• HGTG30N60A4D (Fairchild/ON Semi)
• GT30J321 (Toshiba)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Системы резервного питания (UPS)

Если вам нужны точные параметры для замены, рекомендуется сверяться с даташитами производителей, так как некоторые аналоги могут отличаться по динамическим характеристикам.