IGBT 352GB128Ds

Описание IGBT 352GB128Ds

IGBT 352GB128Ds – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных преобразователей энергии, инверторов, приводов электродвигателей и промышленных систем управления. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (DUAL) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 350 А | | Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 240 А | | Импульсный ток (I_CM) | 700 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 1280 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Тип корпуса | модульный (например, 62 мм) | | Температура хранения | от -40°C до +150°C | | Температура эксплуатации| от -40°C до +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF350R12KE3, FZ3600R12KE3
• Mitsubishi: CM350DY-12S
• SEMIKRON: SKM350GB128D
• Fuji Electric: 2MBI350VA-120-50

Совместимые модели (по параметрам):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG350J2YS50
• STMicroelectronics: STGW35HF120WD

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Тяговые преобразователи
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужны дополнительные данные (графики, особенности подключения), уточните запрос!