IGBT 353GB126V1

Описание IGBT 353GB126V1

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 353GB126V1 – это высоковольтный силовой транзистор, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных преобразователях частоты и других мощных электронных устройствах. Этот модуль объединяет в себе IGBT и диод обратного восстановления (FRD), обеспечивая эффективное управление высокими токами и напряжениями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного восстановления (IGBT + FRD) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 350 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 700 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 1200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Корпус | Изолированный (Module) |
| Вес | ~150 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• 353GB126V1 (основной номер)
• 353GB126V1X (модификация с улучшенными параметрами)

Совместимые аналоги и замены:

• FZ3600R12KE3 (Infineon)
• CM300DY-12NF (Mitsubishi)
• MBN300H12E1 (Fuji Electric)
• SKM300GB12T4 (Semikron)

Применение в устройствах

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции и параметрах.

Если вам нужны дополнительные данные (например, схема включения или спецификации от производителя), уточните запрос.