IGBT 37NAB12T4V1
IGBT 37NAB12T4V1 — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение 37NAB12T4V1, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 37NAB12T4V1
Описание IGBT модуля 37NAB12T4V1
IGBT 37NAB12T4V1 – это высоковольтный транзисторный модуль с обратным диодом, предназначенный для управления мощными нагрузками в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и системах электропривода. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 37 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 74 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | до 200 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.1 В (тип.) | | Время включения (ton) | ~35 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C | | Корпус | Изолированный (например, NAB) | | Вес | ~100 г (зависит от производителя) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: FF100R12KT3, FF75R12RT4
- Mitsubishi: CM75DY-12S
- Fuji Electric: 2MBI100VA-120
- SEMIKRON: SKM100GB12T4
- ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG
Похожие модели от других производителей:
- STMicroelectronics: STGW40H120DF3
- IXYS: IXGH40N120B3
Примечание
Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и конструкции. Для точного подбора аналога лучше использовать даташит оригинального производителя (например, Infineon или Mitsubishi).
Если вам нужны дополнительные данные (структура модуля, схема подключения), уточните производителя или запросите документацию.
Дополнительная информация
IGBT 37NAB12T4V1 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — 37NAB12T4V1. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.
#IGBT #IGBTМодуль #37NAB12T4V1 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов