IGBT 40A1200V

Описание IGBT 40A1200V

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 40A1200V – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Номинальный ток коллектора (40 А)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Быстрое переключение и высокая надежность
• Встроенный антипараллельный диод (в большинстве моделей)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 40 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25–30 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 80–100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8–2,5 В |
| Время включения (t_on) | 30–100 нс |
| Время выключения (t_off) | 100–300 нс |
| Корпус | TO-247, TO-3P, TO-264 |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Популярные парт-номера и аналоги

Infineon Technologies:

• IKW40N120H3 (TO-247, 40A/1200V, с диодом)
• IKW40N120T2 (TO-247, 40A/1200V, быстрый)

Fuji Electric:

• 2MBI40N-120 (2-канальный модуль, 40A/1200V)

Mitsubishi Electric:

• CM40DY-12H (IGBT-модуль, 40A/1200V)

ON Semiconductor:

• NGTB40N120FL2WG (TO-247, 40A/1200V, с диодом)

STMicroelectronics:

• STGW40H120DF2 (TO-247, 40A/1200V, Fast IGBT)

Совместимые и аналогичные модели

• IRG4PC40UD (International Rectifier, 40A/1200V)
• HGTG40N120B3 (Fairchild/ON Semi, 40A/1200V)
• IXGH40N120B3 (IXYS, 40A/1200V)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Тяговые приводы
• Солнечные инверторы

Если нужны специфические параметры (например, графики потерь или тепловые характеристики), уточните модель производителя.