IGBT 50-HCNW

Описание IGBT 50-HCNW

IGBT 50-HCNW – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и силовых электронных устройств. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | NPT-IGBT |
| Макс. напряжение | 600 В (VCES) |
| Ном. ток коллектора | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный | 100 А (кратковременно) |
| Рассеиваемая мощность| 200 Вт |
| Напряжение затвора | ±20 В (VGE) |
| Падение напряжения | 2.0 В (VCE(sat) при 25°C) |
| Время включения | 150 нс |
| Время выключения | 500 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N60T (600V, 50A)
• STMicroelectronics: STGW50H60DLF (600V, 50A)
• Fairchild/ON Semi: FGA50N60SMD (600V, 50A)
• Mitsubishi: CM50DY-24H (600V, 50A)
• IXYS: IXGH50N60B3D1 (600V, 50A)

Похожие модели (с другими параметрами):

• IGBT 40-HCNW (40A, 600V)
• IGBT 75-HCNW (75A, 600V)
• IGBT 50-HCNW (50A, 1200V) – для более высокого напряжения

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах и параметрах.
• Рекомендуется использовать с драйверами затвора (например, IR2110, HCPL-3120) для снижения потерь.
• Для охлаждения обязателен радиатор или активное охлаждение.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните модель производителя!