IGBT 553GB128D

Описание IGBT 553GB128D

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 553GB128D – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT с диодом (NPT/Field Stop Technology) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 150 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 330 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В |
| Время включения (t_d(on)) | 35 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 120 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,38 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• 553GB120D (аналог с близкими параметрами)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120BN (Microsemi)

Совместимые модели в сборках:

• CM300DY-24A (Mitsubishi, в составе модуля)
• FF300R12KE3 (Infineon, в составе модуля)
• SKM75GB128D (Semikron)

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по V_CES и I_C.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!