IGBT 570/16E

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 570/16E
Описание IGBT модуля 570/16E
IGBT 570/16E – это силовой полупроводниковый модуль с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и надежной конструкцией, что делает его пригодным для промышленных приводов, инверторов, сварочного оборудования и систем энергоснабжения.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------------|---------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1600 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 570 А | | Ток коллектора (IC) при 80°C | 380 А | | Импульсный ток (ICM) | 1140 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2,5 В (при номинальном токе) | | Потери при включении (Eon) | ~15 мДж | | Потери при выключении (Eoff) | ~10 мДж | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,05 К/Вт | | Максимальная температура перехода (Tj) | 150°C | | Корпус | Изолированный (например, SEMiX, EconoPACK) | | Тип модуля | IGBT + диод (в одном корпусе) |
Парт-номера и совместимые модели
Парт-номера производителей:
- Infineon: FF570R16KE3
- SEMIKRON: SKM570GB16E
- Mitsubishi: CM570DY-16E
- Fuji: 2MBI570V-160
Совместимые аналоги:
- SKM570GB16D (SEMIKRON, 1400 В)
- FF450R16KE3 (Infineon, 450 А, 1600 В)
- CM600DY-16E (Mitsubishi, 600 А)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Тяговые преобразователи
- Сварочные инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Модуль 570/16E подходит для замены в схемах, где требуются аналогичные параметры по току и напряжению. Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и тепловые характеристики.
Если нужны дополнительные данные (например, графики потерь или схема подключения), уточните модель производителя.