IGBT 5-M50100TB1600

Описание IGBT-модуля 5-M50100TB1600

5-M50100TB1600 — это высоковольтный IGBT-модуль, предназначенный для мощных преобразовательных устройств, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и промышленные системы управления. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT + диод (Dual) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 500 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C | | Корпус | Трехполюсный (изолированный) | | Вес | ~200 г |

Парт номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI100VXB-160
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели в линейке:

• 5-M50100TB1200 (1200 В, 100 А)
• 5-M50750TB1600 (1600 В, 75 А)
• 5-M50150TB1600 (1600 В, 150 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Электроприводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Установки плавного пуска

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или условиям замены, укажите дополнительные параметры.