IGBT 6BMI75VW060

IGBT 6BMI75VW060 – Описание и технические характеристики

Описание

IGBT 6BMI75VW060 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный компанией Infineon Technologies. Модуль выполнен в корпусе 62mm (EASY), обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой перегрузочной способностью.

Применяется в:

• Промышленных инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочном оборудовании
• Преобразователях частоты

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Производитель | Infineon | | Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CP) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.85 В | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 K/W | | Рабочая температура (T_j) | -40°C … +150°C | | Корпус | EASY 1B (62mm) | | Диод обратного восстановления (V_RRM) | 600 В |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• 6MBP75RA060 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 6MBP75VB060 (близкий по параметрам)
• 6MBP75VW060 (альтернативная версия)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi CM75DY-24H
• Fuji Electric 6MBP75RA060
• SEMIKRON SKM75GB063D

Заключение

Модуль 6BMI75VW060 – надежный IGBT-транзистор для силовой электроники средней мощности. Подходит для замены аналогичных модулей от Infineon и других производителей.

Если нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните!