IGBT 6DI100A-060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6DI100A-060
Описание и технические характеристики IGBT модуля 6DI100A-060
Описание:
IGBT модуль 6DI100A-060 — это двунаправленный ключ, выполненный по технологии IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода (антипараллельным диодом). Модуль предназначен для управления мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.
Основные характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 100 А |
| Ток коллектора (импульсный, ICM) | 200 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | ≤ 2,1 В |
| Напряжение открытия затвора (VGE) | ±20 В |
| Ток утечки затвора (IGES) | ≤ ±250 нА |
| Время включения (ton) | ≤ 150 нс |
| Время выключения (toff) | ≤ 500 нс |
| Максимальная рабочая температура (Tj) | 150 °C |
| Корпус | модульный (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: FF100R06KE3
- Fuji Electric: 6MBI100VA-060
- Mitsubishi: CM100DY-24H
- SEMIKRON: SKM100GB066D
- IXYS: IXGR100N60B3
Совместимые модели (альтернативы с близкими параметрами):
- IRG7PH50UD1 (International Rectifier, 600 В, 75 А)
- STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650 В, 60 А)
- APT100GN60JDQ4 (Microsemi, 600 В, 100 А)
Примечание: При замене модуля необходимо учитывать электрические параметры, конструктивное исполнение и условия охлаждения.
Если требуется дополнительная информация по подключению или аналогам, уточните детали применения.