IGBT 6DI50M120

Описание IGBT 6DI50M120

IGBT 6DI50M120 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Модуль оснащен встроенным обратным диодом, что делает его пригодным для импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,2 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
| Корпус | TO-247, изолированный |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120B3D (Microsemi)
• IXGH50N120B3D (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модули (для замены в схемах):

• 6DI50M120 (аналогичная серия от других производителей)
• SKM50GB12T4 (Semikron, в составе модуля IGBT + диод)
• MG50Q1BS41 (Mitsubishi, IGBT-модуль)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам схемы.