IGBT 6MBI100120-50

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI100120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны другие бренды с аналогичными характеристиками)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (DUAL/NPT-IGBT)
Назначение: Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А | | Пиковый ток коллектора (I_CP) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_D) | ~400 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Тип корпуса | 6MBI (стандартный модуль с изолированным основанием) | | Число IGBT в модуле | 2 (двухканальный) | | Встроенный диод | Да (FRD) | | Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~100 нс | | Время выключения (t_off) | ~400 нс | | Температурный диапазон | -40°C … +125°C (или +150°C в зависимости от исполнения) | | Монтаж | Винтовое подключение | | Изоляция корпуса | Да (2500 В AC, 1 мин) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 6MBI100U4E120-50
• 6MBI100U4H120-50 (возможно другое исполнение корпуса)
• 6MBI100N120 (устаревшая версия)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI100U4H-120
• ON Semiconductor: NXH100B120H3Q1

Примечания

• Перед заменой необходимо уточнять распиновку и параметры управления (напряжение затвора, токи).
• Для корректной работы требуется правильное охлаждение (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя перед установкой.

Если вам нужна дополнительная информация (например, datasheet или схемы подключения), уточните модель и производителя.