IGBT 6MBI150U4B120-50

Описание IGBT модуля 6MBI150U4B120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны другие бренды, например Fuji Electric или Infineon, в зависимости от аналогов)
Тип: IGBT-модуль (двухуровневый, с диодом обратного хода)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных приводах, сварочных аппаратах, системах возобновляемой энергетики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 150 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 75 А (примерно, уточняйте в даташите) |
| Импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность (P_tot) | ~300 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (типовое) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс/мкс диапазон (уточнить в даташите) |
| Корпус | Module, 6MBI-series (стандартный) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C (с учетом теплового режима) |
| Вес | ~200–300 г (зависит от конструкции) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi Electric:

• 6MBI150U4B120-50 (полное совпадение)
• 6MBI150U4B120 (базовая версия без суффикса)
• 6MBI150U4B120-50R (возможна модификация с другими клеммами)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF150R12YT3, FF150R12KT3
• Fuji Electric: 6MBI150U4B120-50, 2MBI150U4B-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Кросc-совместимость:

• Проверяйте распиновку и характеристики (V_CES, I_C, тепловые параметры).
• Возможна замена на модули с такими же параметрами (1200V, 150A), но корпус и крепление могут отличаться.

Примечания:

1. Даташит: Рекомендуется свериться с официальным datasheet (например, на сайтах Mitsubishi, Digi-Key, или Mouser).
2. Охлаждение: Требуется радиатор с низким тепловым сопротивлением (<0.1°C/W).
3. Применение: Подходит для частотных преобразователей (например, Yaskawa, Delta), солнечных инверторов.

Для точного подбора аналога укажите условия эксплуатации (частота коммутации, нагрузка). Если нужна замена — можно рассмотреть более современные модули (например, SiC-транзисторы для высокочастотных применений).