IGBT 6mbi15120-02

Описание IGBT модуля 6MBi15120-02

6MBi15120-02 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для использования в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль содержит встроенный диод обратного восстановления (FRD), что обеспечивает эффективную работу в схемах с высокими коммутационными нагрузками.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 150 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 75 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_d) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 0.3 мкс / 1.2 мкс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.21 °C/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | 6-контактный, изолированный (модуль N-типа) |

Встроенный диод (FRD)

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Прямое напряжение (V_F) | 2.0 В (тип.) |
| Обратное время восстановления (t_rr) | 0.25 мкс |

Парт-номера и совместимые модели

• Аналоги от Fuji Electric:
  • 6MBi150XB-02 (серия с аналогичными параметрами)
  • 6MBi150N-120
• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: FF150R12RT4
  • Mitsubishi: CM150DY-24H
  • SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Совместимые замены:
  • IRG4PH50UD (International Rectifier, с меньшими параметрами)
  • HGTG20N120BND (ON Semiconductor, для ремонта в некоторых схемах)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet, так как параметры могут незначительно отличаться в зависимости от производителя.