IGBT 6MBI50F-120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6MBI50F-120
Описание IGBT-модуля 6MBI50F-120
6MBI50F-120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений в силовой электронике. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и простой монтаж.
Основные применения:
- Преобразователи частоты (ЧРП)
- Инверторы для электроприводов
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные системы управления
- Тяговая электротранспортная техника
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Конфигурация | 6-й выводной (half-bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 50 А | | Импульсный ток (ICP) | 100 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (ton) | 0,3 мкс | | Время выключения (toff) | 1,2 мкс | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,45 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (с базовой пластиной) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Fuji Electric:
- 6MBI50U-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
- 6MBI50L-120 (более старая версия)
- 6MBI50F-060 (аналог на 600 В)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF50R12RT4
- Mitsubishi: CM50DY-12H
- SEMIKRON: SKM50GB12T4
- Powerex (IXYS): CM50HA-12H
Примечания:
- Модуль требует использования термопасты и радиатора для эффективного охлаждения.
- Рекомендуется проверять соответствие параметров перед заменой.
- Для точной совместимости лучше использовать оригинальные модули Fuji Electric.
Если требуется дополнительная информация по заменам или спецификациям – уточните условия применения.