IGBT 6MBI50L120

Описание IGBT модуля 6MBI50L-120

6MBI50L-120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления двигателями.

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хорошую теплоотдачу и механическую прочность. Включает в себя IGBT-транзисторы с диодами обратного хода (FRD), что упрощает проектирование силовых схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + FRD (2 в 1) | | Конфигурация | 2-уровневый полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Ток при 80°C | 25 А | | Импульсный ток (I_CP) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Изоляционное напряжение (V_iso) | 2500 В (мин.) | | Корпус | 6-выводной (стандартный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• Mitsubishi CM50DY-12H (аналог старого образца)
• Mitsubishi 6MB150L-120 (более новая версия)
• Fuji Electric 2MBI50L-120
• Infineon FF50R12KT3
• Semikron SKM50GB12T4

Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки и параметров):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH50N120 (IXYS)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и конфигурацию выводов. Для высоконагруженных систем лучше использовать оригинальные модули Mitsubishi или прямые аналоги.