IGBT 6MBI50N060

Описание IGBT 6MBI50N060

6MBI50N060 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль имеет встроенный свободно-колебательный диод (FRD), что делает его пригодным для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + FRD (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_C) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Корпус | 6MBI (модуль с изолированным основанием) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric:
  • 6MBI50U-060
  • 6MBI50U-060-01
• Infineon:
  • FF50R06RT4
• Mitsubishi:
  • CM50DY-12H
• SEMIKRON:
  • SKM50GB063D

Совместимые модули (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.