IGBT 6MBI50N120

Описание IGBT-модуля 6MBI50N120

6MBI50N120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для использования в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль имеет встроенный диод обратного восстановления (FRD) и выполнен в компактном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Производитель | Fuji Electric | | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение (Vces) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (Ic)| 50 А (при 25°C) | | Макс. ток (Icm) | 100 А (импульсный) | | Падение напряжения (Vce(sat)) | ≤ 2,5 В (при 25°C) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff)| ~400 нс | | Встроенный диод (FRD) | Да | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Корпус | 6MBI (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Fuji Electric:

• 6MBI50U-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 6MBI50N-120 (полный аналог)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: IXGH50N120B3

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Модуль 6MBI50N120 отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным решением в силовой электронике.

Если у вас есть дополнительные вопросы — задавайте!