IGBT 6MBI50S120-50

Описание IGBT-модуля 6MBI50S120-50

Производитель: Fuji Electric (возможны аналоги от других брендов)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT-IGBT + FRD)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток в импульсном режиме (I_CP): до 100 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2.1 В (типовое)
• Мощность рассеяния (P_tot): ~200 Вт (с радиатором)
• Температурный диапазон: -40°C ... +125°C (T_j)
• Количество ключей: 1 (полумост или одиночный ключ)
• Корпус: 6MBI (изолированный, для винтового монтажа)
• Встроенные компоненты:
  • Быстрый антипараллельный диод (FRD)
  • Температурный датчик (NTC) – в некоторых версиях

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от Fuji Electric:

• 6MBI50S-120 (устаревшая версия)
• 6MBI50SA-120 (модификация с улучшенными параметрами)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: MIXA50W1200T

Совместимые замены (с проверкой распиновки!):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• BSM50GB120DN2 (Siemens)

Примечания:

1. Перед заменой убедитесь в совпадении:
   • Распиновки (pinout)
   • Характеристик (особенно V_CES и I_C)
   • Наличия встроенного диода или NTC.
2. Для охлаждения обязателен радиатор с теплопроводящей пастой.
3. Рекомендуемые драйверы: Fuji EXB серии, HCPL-316J, 2ED300C17.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или параметры диода), уточните!