IGBT 6MBI50U4A12

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI50U4A12

Модель: 6MBI50U4A12
Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (NPT-IGBT)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, системы управления двигателями, промышленные приводы.

Основные технические характеристики:

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @25°C): 50 А
• Максимальный импульсный ток (ICM): 100 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): ~2.1 В (при IC=50A)
• Время включения (ton): ~70 нс
• Время выключения (toff): ~300 нс
• Встроенный обратный диод (FWD): Да
  • Прямое напряжение диода (VFM): ~2.0 В (при IF=50A)
  • Время восстановления (trr): ~200 нс

Тепловые параметры:

• Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0.25 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: модульный, изолированный (с керамической подложкой)
• Монтаж: винтовое соединение, охлаждение через радиатор
• Вес: ~150–200 г (зависит от конструкции)

Совместимые модели и парт-номера:

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Fuji Electric:
  • 6MBI50U4-120 (аналоговая серия)
• Infineon:
  • FF50R12KT4
• Mitsubishi:
  • CM50DY-12H
• SEMIKRON:
  • SKM50GB12T4

Аналоги с близкими параметрами (проверять datasheet):

• STMicroelectronics: STGW50HF60S
• ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Примечания:

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно параметры VCE(sat) и trr.
• Для точного соответствия рекомендуется использовать оригинальные модули Fuji Electric или проверенные аналоги.

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики зависимости тока от температуры), уточните — предоставлю более детальную информацию.