IGBT 6MBI50U4A12

Артикул: 296141
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6MBI50U4A12
Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI50U4A12
Модель: 6MBI50U4A12
Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (NPT-IGBT)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, системы управления двигателями, промышленные приводы.
Основные технические характеристики:
Электрические параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Номинальный ток коллектора (IC @25°C): 50 А
- Максимальный импульсный ток (ICM): 100 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): ~2.1 В (при IC=50A)
- Время включения (ton): ~70 нс
- Время выключения (toff): ~300 нс
- Встроенный обратный диод (FWD): Да
- Прямое напряжение диода (VFM): ~2.0 В (при IF=50A)
- Время восстановления (trr): ~200 нс
Тепловые параметры:
- Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0.25 °C/Вт
Механические параметры:
- Корпус: модульный, изолированный (с керамической подложкой)
- Монтаж: винтовое соединение, охлаждение через радиатор
- Вес: ~150–200 г (зависит от конструкции)
Совместимые модели и парт-номера:
Прямые аналоги (зависит от производителя):
- Fuji Electric:
- 6MBI50U4-120 (аналоговая серия)
- Infineon:
- FF50R12KT4
- Mitsubishi:
- CM50DY-12H
- SEMIKRON:
- SKM50GB12T4
Аналоги с близкими параметрами (проверять datasheet):
- STMicroelectronics: STGW50HF60S
- ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG
Примечания:
- Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно параметры VCE(sat) и trr.
- Для точного соответствия рекомендуется использовать оригинальные модули Fuji Electric или проверенные аналоги.
Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики зависимости тока от температуры), уточните — предоставлю более детальную информацию.