IGBT 6MBI50U4A12

IGBT 6MBI50U4A12
Артикул: 296141

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 6MBI50U4A12

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI50U4A12

Модель: 6MBI50U4A12
Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (NPT-IGBT)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, системы управления двигателями, промышленные приводы.


Основные технические характеристики:

Электрические параметры:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
  • Номинальный ток коллектора (IC @25°C): 50 А
  • Максимальный импульсный ток (ICM): 100 А
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): ~2.1 В (при IC=50A)
  • Время включения (ton): ~70 нс
  • Время выключения (toff): ~300 нс
  • Встроенный обратный диод (FWD): Да
    • Прямое напряжение диода (VFM): ~2.0 В (при IF=50A)
    • Время восстановления (trr): ~200 нс

Тепловые параметры:

  • Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
  • Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0.25 °C/Вт

Механические параметры:

  • Корпус: модульный, изолированный (с керамической подложкой)
  • Монтаж: винтовое соединение, охлаждение через радиатор
  • Вес: ~150–200 г (зависит от конструкции)

Совместимые модели и парт-номера:

Прямые аналоги (зависит от производителя):

  • Fuji Electric:
    • 6MBI50U4-120 (аналоговая серия)
  • Infineon:
    • FF50R12KT4
  • Mitsubishi:
    • CM50DY-12H
  • SEMIKRON:
    • SKM50GB12T4

Аналоги с близкими параметрами (проверять datasheet):

  • STMicroelectronics: STGW50HF60S
  • ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Примечания:

  • Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно параметры VCE(sat) и trr.
  • Для точного соответствия рекомендуется использовать оригинальные модули Fuji Electric или проверенные аналоги.

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики зависимости тока от температуры), уточните — предоставлю более детальную информацию.

Товары из этой же категории