IGBT 6MBI75U4B-120

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI75U4B-120

Общее описание

IGBT-модуль 6MBI75U4B-120 производства Fuji Electric представляет собой высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе 6-го поколения. Модуль предназначен для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------------|-------------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (IC @ 100°C) | 75 А | | Максимальный импульсный ток (ICM) | 150 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 180 нс (тип.) | | Мощность рассеивания (Ptot) | 250 Вт | | Рабочая температура (Tj) | -40°C ... +150°C | | Корпус | 6-контактный (стандартный) | | Схема включения | Транзистор с обратным диодом (Half-Bridge) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H
• Semikron: SKM75GB12T4

Прямые замены и аналоги:

• Fuji Electric:
  • 6MBI75U4-120 (устаревшая версия)
  • 6MBI75U4-120-50 (модификация)

Совместимые модели (по характеристикам):

• 6MBI100U4B-120 (100A версия)
• 6MBI50U4B-120 (50A версия)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль отличается высокой надежностью и эффективностью, подходит для замены в большинстве устройств с аналогичными параметрами.

Если нужна более детальная информация по заменам или схемам подключения, уточните запрос!