IGBT 7MBP75RA-120

Описание IGBT-модуля 7MBP75RA-120

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль (с диодом обратного хода)
Назначение: Применяется в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП), промышленных приводах.

Технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Импульсный ток коллектора (I_CP): 150 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_C): 300 Вт
• Тип корпуса: 7MBP (двухключевой модуль, half-bridge)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1,8 В (типовое)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~100 нс / ~500 нс
• Температура хранения: -40°C до +125°C
• Рабочая температура: -40°C до +150°C (корпус)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт

Парт-номера (альтернативные модели Mitsubishi Electric)

• 7MBP75RA060 (600 В, 75 А)
• 7MBP100RA120 (1200 В, 100 А)
• 7MBP50RA120 (1200 В, 50 А)
• 7MBP150RA120 (1200 В, 150 А)

Совместимые и аналогичные модели других производителей

• Infineon: FF75R12RT4
• Fuji Electric: 7MBR75SB120
• Semikron: SKM75GB128D
• ON Semiconductor: NGTB75N120FL3WG

Примечания:

• Модуль 7MBP75RA-120 часто используется в схемах с напряжением до 600–800 В из-за запаса по напряжению.
• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой на аналог, так как параметры управления (затворные токи, температурные режимы) могут отличаться.

Если нужна дополнительная информация (например, распиновка или применение в конкретных схемах), уточните запрос.