IGBT 7MBR35SB12050

Описание IGBT модуля 7MBR35SB12050

7MBR35SB12050 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для возобновляемой энергетики

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую термостабильность и надежную конструкцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип модуля | IGBT с обратным диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 35 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 70 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при ном. токе) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура хранения (T_stg) | -40°C … +125°C |
| Температура перехода (T_j) | до +150°C |
| Корпус | 7MBR (стандартный 6-контактный) |
| Вес | ~50 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы от других производителей:

• Infineon: FF35R12KT3, FF35R12KE3
• Mitsubishi: CM35DY-12S
• Fuji Electric: 6MBP35RA120
• Semikron: SKM35GB12T4

Совместимые модули в линейке Mitsubishi (7MBR серия):

• 7MBR25SB120 (25 А, 1200 В)
• 7MBR50SB120 (50 А, 1200 В)
• 7MBR75SB120 (75 А, 1200 В)

Применение и особенности

• Подходит для частотных преобразователей мощностью 5–15 кВт.
• Имеет встроенный температурный датчик (NTC) для защиты от перегрева.
• Рекомендуется использовать с драйверами, поддерживающими ток затвора ≥2 А.

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть модули серии 7MBR50SB120 (50 А) или 7MBR75SB120 (75 А).

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя.