IGBT 7MBR35VM120-50

Описание IGBT модуля 7MBR35VM120-50

7MBR35VM120-50 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и обладает высокой надежностью, низкими потерями проводимости и переключения.

Этот модуль содержит в одном корпусе два IGBT транзистора и два диода (полумостовая конфигурация), что делает его удобным для использования в двухполупериодных схемах преобразователей.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|--------------| | Тип модуля | Полумост (2 в 1: IGBT + диод) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC @ 80°C) | 35 А | | Ток импульсный (ICM) | 70 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 250 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 120 нс | | Время выключения (toff) | 550 нс | | Термосопротивление (Rth(j-c)) | 0.45 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур (Tj) | -40°C ... +150°C | | Корпус | 7MBR (изолированный, с винтовыми клеммами) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Mitsubishi Electric:
  • 7MBR35VB120-50 (аналог с другим корпусом)
  • CM35DY-12H (более старая версия)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF35R12KE3, FF35R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI35V-120-50
• Semikron: SKM35GB12V
• ON Semiconductor: NGGB35N120FL2WG

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на предмет соответствия характеристик, особенно по току, напряжению и термосопротивлению.