IGBT 7MBR50SB120H-70

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 7MBR50SB120H-70
Описание IGBT модуля 7MBR50SB120H-70
7MBR50SB120H-70 – это IGBT-модуль второго поколения (NPT-технология) с напряжением 1200 В и током 50 А в стандартном корпусе 7MBR. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его пригодным для использования в инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | 2-in-1 (два IGBT с диодами) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC при 25°C) | 50 А |
| Макс. импульсный ток (ICP) | 100 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | ~2,1 В (тип.) |
| Падение напряжения диода (VF) | ~1,7 В (тип.) |
| Время включения (ton) | ~60 нс |
| Время выключения (toff) | ~300 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 °C/Вт |
| Макс. температура перехода (Tj) | 150 °C |
| Корпус | 7MBR (изолированный) |
| Вес | ~80 г |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые аналоги (полная замена):
- 7MBR50SB120-70 (предыдущая версия)
- CM50DY-24H (Mitsubishi)
- SKM50GB12T4 (Semikron)
Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки):
- FF50R12RT4 (Infineon)
- MG50Q2YS40 (Toshiba)
Применение
- Преобразователи частоты
- Инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные приводы
Модуль 7MBR50SB120H-70 обладает хорошим балансом цены и производительности, подходит для ремонта и модернизации силовых блоков.
Если нужны дополнительные параметры (графики, точные значения потерь и т. д.), уточните запрос.