IGBT 80n60

Описание IGBT 80N60

IGBT 80N60 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), рассчитанный на напряжение 600 В и ток 80 А. Он предназначен для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, электроприводов и других силовых электронных устройств.

Этот транзистор обладает низкими коммутационными потерями, высокой скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики IGBT 80N60

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 80 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 160 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | ~300 Вт (с учетом охлаждения) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8–2,5 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | 30–50 нс | | Время выключения (t_off) | 100–200 нс | | Корпус | TO-247, TO-3P или аналогичный | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Температура перехода (T_j) | до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и эквиваленты IGBT 80N60:

• IRGP80B60PD1 (International Rectifier)
• FGA80N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW80N60S5 (STMicroelectronics)
• IXGH80N60B3 (IXYS/Littelfuse)
• HGTG80N60B3 (Microsemi)

Совместимые модели (по характеристикам):

• 75N60, 100N60 (менее/более мощные аналоги)
• IRGP50B60PD1 (50 А, 600 В)
• FGH60N60SMD (60 А, 600 В, Infineon)

Применение IGBT 80N60

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если нужна более точная информация по конкретному производителю, уточните маркировку корпуса или бренд.