IGBT A50L-1-0230

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT A50L-1-0230
Описание IGBT A50L-1-0230
IGBT A50L-1-0230 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других устройствах, требующих эффективного переключения больших токов.
Отличается высокой надежностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | NPT-IGBT | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (IC) | 50 А | | Максимальный импульсный ток (ICM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (PD) | 200 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 2,3 В (при 25 А) | | Время включения (ton) | 80 нс | | Время выключения (toff) | 200 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналог) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены
- Infineon: IKQ50N120CH3, IKW50N120H3
- Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N120ANTD
- STMicroelectronics: STGW50H120DF
- Toshiba: GT50JR22
Совместимые модули (если используется в составе сборки)
- SEMIKRON: SKM100GB12T4 (в составе модуля)
- Mitsubishi: CM50DY-12H
Примечание
Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах.
Если вам нужен точный аналог, укажите производителя оригинального компонента для более точного подбора.