IGBT A50L-1-0230

Описание IGBT A50L-1-0230

IGBT A50L-1-0230 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других устройствах, требующих эффективного переключения больших токов.

Отличается высокой надежностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | NPT-IGBT | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,3 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналог) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены

• Infineon: IKQ50N120CH3, IKW50N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW50H120DF
• Toshiba: GT50JR22

Совместимые модули (если используется в составе сборки)

• SEMIKRON: SKM100GB12T4 (в составе модуля)
• Mitsubishi: CM50DY-12H

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах.

Если вам нужен точный аналог, укажите производителя оригинального компонента для более точного подбора.