IGBT APT30GT60BRG

Описание IGBT APT30GT60BRG

APT30GT60BRG — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от компании Advanced Power Technology (Microsemi/ON Semiconductor). Предназначен для высокоэффективных силовых преобразований, работающих на частотах до нескольких десятков кГц. Используется в:

• Инверторах
• Импульсных источниках питания
• Системах управления электродвигателями
• Сварочном оборудовании
• UPS и промышленных приводах

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А (макс. импульсный — 120 А) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 30 А) | | Прямое падение напряжения диода (V_F) | 1.7 В (при I_F = 30 А) | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-247 | | Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Альтернативные и совместимые модели

Парт-номера APT30GT60BRG

• APT30GT60BR (аналогичный IGBT, но без RoHS-совместимости)
• APT30GT60BRG-1 (уточненная версия)

Совместимые/аналогичные IGBT (по характеристикам и корпусу)

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650 В, 60 А)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 60 А)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS, 600 В, 60 А)

Примечания

• Для замены рекомендуется проверять распиновку и параметры в даташите.
• В схемах с высокими dV/dt или частотными режимами желательно учитывать динамические характеристики.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик или тепловое сопротивление), уточните — помогу найти!