IGBT APT35GN120L2DQ2G

Описание IGBT APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-управлением (IGBT) от Microsemi (Microchip Technology), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления двигателями.

Этот IGBT обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для высокочастотных приложений. Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 35 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 23 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 230 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,15 В (при I_C = 35 А) |
| Время включения (t_on) | 48 нс |
| Время выключения (t_off) | 290 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (изолированный) |
| Встроенный диод | Нет (требуется внешний обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (альтернативы):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA35N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH35N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• HGTG35N120B3D (Microsemi)

Похожие модели от Microsemi (Microchip):

• APT35GN120J (более старая версия)
• APT35GN120JDQ2G (с улучшенными характеристиками)
• APT35GN120BG (с более низкими потерями)

Применение

🔹 Инверторы для солнечных электростанций
🔹 Частотные преобразователи
🔹 Сварочные аппараты
🔹 Импульсные блоки питания
🔹 Системы управления электродвигателями

Если вам нужна дополнительная информация или поиск аналогов для конкретного применения, уточните параметры!