IGBT BCR30GM

Описание IGBT BCR30GM

BCR30GM — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в импульсных схемах. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 30 А
• Пиковый ток (I_CM): 60 А
• Мощность рассеяния (P_tot): 150 Вт (при T_c = 25°C)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 30 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-220AB (3 контакта)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4BC30KD (International Rectifier)
• HGTG30N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA30N60 (Fairchild)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• Подходит для замены в схемах с аналогичными параметрами (600 В, 30 А).
• Может использоваться вместо BCR30GM-12, BCR30GM-14 (если корпус и распиновка совпадают).

Если вам нужен точный аналог, стоит учитывать параметры управляющего напряжения затвора и тепловые характеристики.

Нужна более подробная информация по конкретному применению?

IGBT BCR30GM предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — BCR30GM. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #BCR30GM #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов