IGBT bsm15gd100d

Описание IGBT модуля BSM15GD100D

BSM15GD100D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от производителя Infineon Technologies (ранее Siemens Semiconductors), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики.

Основные характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) | 15 А | | Ток импульсный (I_CM) | 30 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Сопротивление тепловое (R_th(j-c)) | ~0,65 °C/Вт | | Диапазон температур (T_j) | -40°C … +150°C | | Корпус | 34-выводной (стандарт для IGBT модулей) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Область применения

• Промышленные приводы
• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полная замена)

• Infineon BSM15GD120DN2 (1200 В, 15 А)
• Mitsubishi CM15DY-12H (1200 В, 15 А)
• Fuji Electric 6MBI15VA-100-50 (1000 В, 15 А)
• SEMIKRON SKM15GB100D (1000 В, 15 А)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы)

• IR IRG4BC30KD (600 В, 23 А, в другом корпусе)
• STMicroelectronics STGW15NC120HD (1200 В, 15 А, TO-247)

Заключение

BSM15GD100D – надежный IGBT-модуль, подходящий для среднемощных преобразователей. При замене следует учитывать напряжение и ток, а также тепловые характеристики.

Если нужна более точная информация по эквивалентам, уточните тип корпуса и схему применения.