IGBT BSM30GP120

Описание IGBT модуля BSM30GP120

BSM30GP120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от производителя Infineon Technologies, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями и высокой перегрузочной способностью. Он широко используется в:

• Преобразователях частоты
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторах и сварочном оборудовании
• Управлении электродвигателями

Технические характеристики BSM30GP120

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Мощность (P_tot) | 160 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,78 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | 6-контактный, модульный (MiniSKiiP или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM30GP120E3026 (улучшенная версия)
• BSM30GD120DLC (с диодом обратной проводимости)

Совместимые аналоги от других производителей:

• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH30N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• IRG4PH40UD (International Rectifier/Infineon)

Совместимые корпусы:

• MiniSKiiP 1
• SEMiX 2

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

• Напряжение и токовую нагрузку
• Тепловые характеристики корпуса
• Наличие встроенного диода (если требуется)

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинальный модуль BSM30GP120 или его официальные аналоги от Infineon.

Нужна дополнительная информация по применению или схемам подключения?