IGBT BSM30GP60

Описание IGBT BSM30GP60

BSM30GP60 – это изолированный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для использования в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с быстрым восстановительным диодом, что обеспечивает высокую эффективность и надежность в импульсных схемах.

Технические характеристики BSM30GP60

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом (NPT-IGBT + FRD) |
| Корпус | 18-выводной, модульный (изолированный) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,1 В (при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 600 В |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,6 °C/Вт |

Аналоги и парт-номера

Прямые аналоги (замены):

• Infineon BSM30GP60 (оригинал)
• BSM30GP60U (обновленная версия)
• BSM30GP60-E (вариант с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели (похожие параметры):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Renesas)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Модуль BSM30GP60 отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в промышленной и бытовой электронике.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!