IGBT BSM35GD120DN2E3224

Описание IGBT BSM35GD120DN2E3224

BSM35GD120DN2E3224 – это IGBT-модуль в корпусе 34 мм, разработанный для высокоэффективных силовых применений. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами, что делает его подходящим для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | Двойной IGBT с диодом (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 35 А (при 25°C) / 52 А (при 80°C) | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 140 А (макс.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 55 нс | | Время выключения (t_off) | 320 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Корпус | 34 мм (EASY 1B) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF35R12KE3, FF35R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI35V-120
• Mitsubishi Electric: CM35DY-12S
• SEMIKRON: SKM35GB120DN

Совместимые модули (по характеристикам):

• BSM35GD120DN2 (аналогичный, без маркировки "E3224")
• BSM50GB120DN2 (более мощный, 50 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями

Модуль отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и надежностью в тяжелых условиях эксплуатации.

Если нужны дополнительные данные (например, параметры встроенного диода или графики характеристик), уточните!