IGBT BSM50GB120DN2

Описание IGBT модуля BSM50GB120DN2

BSM50GB120DN2 – это двухканальный IGBT-модуль, разработанный компанией SEMIKRON (или другой производитель, уточните). Он используется в инверторах, преобразователях частоты, сварочных аппаратах и других силовых электронных системах. Модуль объединяет два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в одном корпусе, что обеспечивает высокую эффективность и компактность конструкции.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Производитель | SEMIKRON (уточните) | | Тип модуля | 2-канальный IGBT + диод | | Макс. напряжение (Vces) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (Ic)| 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (Icm) | 100 А | | Мощность (Ptot) | ~200–300 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения (Vce(sat)) | ~1,8–2,2 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~50–100 нс | | Время выключения (toff) | ~200–400 нс | | Темп. хранения (Tstg) | от -40°C до +150°C | | Темп. кристалла (Tj) | до +150°C | | Корпус | модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: FF50R12RT4, FF50R12KT3
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• ON Semiconductor: MGY50H120FL1

Совместимые модели (с близкими параметрами):

• BSM75GB120DN2 (75 А)
• BSM100GB120DN2 (100 А)
• BSM25GB120DN2 (25 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны более точные данные (например, графики зависимостей или параметры диодов), уточните производителя или запросите datasheet.