IGBT BSM50GB121D

Описание IGBT BSM50GB121D

BSM50GB121D — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с обратными диодами (антипараллельные диоды), собранные в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CM) | 100 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 25°C) | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирован для частотных преобразователей) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Корпус | модуль с изолированным основанием | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Встроенные диоды | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• BSM50GB120DN2 (аналог с улучшенными характеристиками)
• BSM50GD120D (альтернативный вариант)
• BSM75GB121D (аналог с большим током, 75 А)

Совместимые модели от других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI50U4H-120
• Mitsubishi Electric: CM50DY-24H
• SEMIKRON: SKM50GB121D

Похожие модули в других корпусах:

• FF50R12RT4 (Infineon, аналогичные параметры)
• MG50Q1BS41 (Toshiba)

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

1. Распиновку и конструкцию корпуса.
2. Напряжение и токовые характеристики.
3. Наличие и параметры встроенных обратных диодов.

Рекомендуется сверяться с даташитами перед установкой аналога.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схема подключения), уточните запрос!