IGBT BSM50GB170DN2

Описание IGBT модуля BSM50GB170DN2

BSM50GB170DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых приложений. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1700 В |
| Ток коллектора (IC при 25°C) | 50 А |
| Ток коллектора (IC при 80°C) | 30 А |
| Импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Мощность рассеяния (Ptot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2,8 В (при 25 А) |
| Время включения (ton) | 90 нс |
| Время выключения (toff) | 500 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 К/Вт |
| Корпус | 38 мм (SEMITRANS 2) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Аналоги и совместимые модели

Прямые аналоги (Part Numbers)

• Infineon: BSM50GB170DL2 (аналог с другими выводами)
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI50L-170

Совместимые модели (по характеристикам)

• Infineon: BSM75GB170DN2 (75A, 1700V)
• SEMIKRON: SKM50GB170D

Заключение

Модуль BSM50GB170DN2 подходит для мощных преобразователей и инверторов с напряжением до 1700 В. При замене рекомендуется учитывать распиновку и тепловые параметры.

Если требуется более мощный аналог, можно рассмотреть BSM75GB170DN2 или аналоги от других производителей.