IGBT BSM50GD120DN2-B10

Описание IGBT модуля BSM50GD120DN2-B10

BSM50GD120DN2-B10 – это IGBT-модуль с номинальным током 50 А и напряжением 1200 В, разработанный компанией Infineon Technologies. Модуль выполнен в корпусе 34 мм, имеет низкие потери проводимости и переключения, что делает его подходящим для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост, Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,85 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | ~55 нс | | Время выключения (t_off) | ~250 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | ~120 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 K/W | | Рабочая температура (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | 34 мм, изолированный (DIN 34) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от Infineon:

• BSM50GD120DN2 (базовая версия без суффикса -B10)
• BSM50GD120DLC (аналог с другими клеммами)

Совместимые модели от других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI50S-120
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• ON Semiconductor (Fairchild): FGA50N120ANTD

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• UPS (источники бесперебойного питания)

Модуль BSM50GD120DN2-B10 обладает высокой надежностью и подходит для работы в жестких промышленных условиях. При замене на аналог необходимо учитывать электрические и тепловые параметры.