IGBT Infineon BSM50GX120DN2

Описание и технические характеристики IGBT Infineon BSM50GX120DN2

Общее описание

BSM50GX120DN2 – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для применения в мощных преобразователях энергии, инверторах и электроприводах. Модуль оснащен встроенным диодом обратного хода (антипараллельный диод) и выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики.

Ключевые особенности

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Номинальный ток коллектора (I_C = 50 А)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный диод для обратного тока
• Высокая надежность и термостойкость
• Оптимизирован для работы в частотных преобразователях и инверторах

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 35 А | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Динамические потери (E_on + E_off) | 8,5 мДж (тип.) | | Встроенный диод (FWD) | Да | | Максимальная температура перехода (T_j) | +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 К/Вт | | Корпус | модуль (17-выводный) |

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера Infineon

• BSM50GX120DN2 (основная модель)
• BSM50GX120DN2E3067 (версия с улучшенными характеристиками)

Совместимые / аналогичные модели

• Infineon FF50R12RT4 (50 А, 1200 В, аналогичный класс)
• SEMIKRON SKM50GB12T4 (50 А, 1200 В, альтернативный производитель)
• Mitsubishi CM50DY-12H (50 А, 1200 В)
• Fuji Electric 2MBI50S-120 (50 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Электроприводы и сервосистемы
• Возобновляемая энергетика (инверторы для солнечных панелей)

Если вам нужны дополнительные данные (графики, спецификации), уточните запрос!