IGBT bsm652f

Описание IGBT модуля BSM652F

BSM652F – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для применения в мощных преобразователях частоты, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль имеет компактную конструкцию с низкими тепловыми потерями и высокой надежностью, что делает его подходящим для промышленного и коммерческого использования.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1, полумост) | | Макс. напряжение (V_CES) | 650 В | | Номинальный ток (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток | 50 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 25 А) | | Включение/выключение | Быстрое переключение (оптимизировано для частот до 20 кГц) | | Корпус | 34 мм (изолированный) | | Темп. хранения/работы | -40°C … +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 К/Вт |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги BSM652F:

• Infineon: BSM65GB120DN2, BSM65GD120DN2
• Fuji Electric: 2MBI50U2A-060
• Mitsubishi: PM25CLA120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модели (с проверкой распиновки и характеристик):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• STMicroelectronics: STGW40H65DFB

Применение

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Солнечные инверторы

Если вам нужна более точная информация (например, графики вольт-амперных характеристик или тепловые параметры), рекомендуется обратиться к официальному даташиту Infineon BSM652F.

Нужны дополнительные данные? Уточните, и я помогу!