IGBT BSM75GB120DN1

Описание IGBT модуля BSM75GB120DN1

BSM75GB120DN1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и стойкость к перегрузкам.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1, полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) / 50 А (при 80°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | 120 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | 34 мм (SEMiX 3) | | Рабочая температура | -40°C … +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: BSM75GB120DN2 (обновленная версия)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H

Совместимые модули в других линейках:

• BSM50GB120DN1 (50 А)
• BSM100GB120DN1 (100 А)

Примечания:

• Модуль имеет встроенные свободные диоды (антипараллельные).
• Рекомендуется использовать с драйверами, поддерживающими ±15 В (например, 1EDI20I12AF).
• Для замены необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схемы подключения), уточните запрос!