IGBT BSM75GB60DN2

Описание IGBT модуля BSM75GB60DN2

BSM75GB60DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации. Он обеспечивает высокую переключаемую мощность при низких потерях, обладает хорошей температурной стабильностью и защитой от перегрузок.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время переключения (t_on/t_off) | 40 нс / 150 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | 90 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 K/W (на ключ) | | Корпус | 34 мм (стандартный модуль) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM75GB60DLC (аналог с улучшенными характеристиками)
• BSM75GB120DN2 (версия на 1200 В)
• BSM100GB60DN2 (100 А, 600 В, аналогичный форм-фактор)

Аналоги от других производителей:

• FGA75N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)
• MG75Q2YS40 (Toshiba)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или схема включения), уточните!