IGBT BSM75GD60DN2

Описание IGBT BSM75GD60DN2

BSM75GD60DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для высокочастотных преобразователей, инверторов и импульсных источников питания. Модуль выполнен в корпусе, оптимизированном для эффективного теплоотвода, и применяется в промышленных приводах, сварочных инверторах, системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип модуля | IGBT с диодом (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Макс. частота переключения | до 30 кГц | | Корпус | 62 мм (полумостовая конфигурация) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Встроенный диод (FRD)

• Обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 75 А
• Падение напряжения (V_F): 1,8 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon (включая устаревшие):

• BSM75GD60DLC (аналог с улучшенными параметрами)
• BSM50GB60DN2 (50 А, 600 В)
• BSM100GB60DN2 (100 А, 600 В)

Совместимые модели других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI75N-060
• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H
• SEMIKRON: SKM75GB063D

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется модуль с повышенной нагрузкой, можно рассмотреть BSM150GD60DN2 (150 А) или аналоги с более высокой частотой переключения. Для замены уточняйте распиновку и параметры, так как некоторые аналоги могут отличаться по тепловым характеристикам.