IGBT BSM75GP120

Описание IGBT модуля BSM75GP120

BSM75GP120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Модуль оснащён встроенным антипараллельным диодом, что упрощает его использование в мостовых схемах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Номинальный ток коллектора (75 А)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный свободно-колебательный диод (FRD)
• Изолированный корпус для простого монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В |
| Время включения (t_d(on)) | 80 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 400 нс |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 °C/Вт |
| Корпус | модуль (2 в 1) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Оригинальные номера Infineon:

• BSM75GP120 (основная модель)
• BSM75GP120R (возможна модификация с другим корпусом)

Совместимые аналоги:

• FZ75R12KE3 (Infineon)
• CM75DY-12H (Mitsubishi)
• MG75Q1BS41 (Fuji Electric)
• SKM75GB12T4 (Semikron)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Управление двигателями
• Сварочное оборудование

Если требуется замена, важно учитывать не только параметры, но и тепловые характеристики, а также конструкцию корпуса. В некоторых случаях может потребоваться адаптация схемы управления.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!