IGBT C31200

Описание IGBT C31200

IGBT C31200 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других высоковольтных/высокотоковых устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный антипараллельный диод (в некоторых версиях)
• Хорошая устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

Параметры могут отличаться в зависимости от производителя и модификации.

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 30–75 А (зависит от модели) | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 15–50 А | | Пиковый ток (ICM) | до 150 А (импульсный) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8–2,5 В | | Мощность рассеяния (Ptot) | 200–300 Вт | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | TO-247, TO-3P (зависит от версии) | | Встроенный диод | Да/Нет (зависит от модели) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера (Infineon, IXYS, STMicro и др.):

• Infineon: IGW30N120H3, IKW30N120H3
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• IXYS: IXGH30N120B3
• Fairchild/ON Semi: HGTG30N120B3

Совместимые модели (аналоги):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• NGTB30N120LWG (ON Semiconductor)
• APT30GR120J (Microsemi)

Применяемость и совместимость

Подходит для замены в:

• Инверторах (например, в сварочных аппаратах)
• Частотных преобразователях
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводах

Перед заменой необходимо уточнять распиновку и параметры, так как разные производители могут иметь отличия в характеристиках.

Если нужны более точные данные по конкретной модели, укажите производителя или datasheet.