IGBT cm100du12h

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT cm100du12h
Описание IGBT CM100DU-12H
CM100DU-12H – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Powerex (Mitsubishi Electric). Модуль предназначен для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как:
- Инверторы
- Частотные преобразователи
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
- Промышленные приводы
Модуль имеет двухключевую структуру (Half-Bridge), что позволяет использовать его в схемах преобразования напряжения. Корпус обеспечивает хорошую теплоотдачу и электрическую изоляцию.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение VCES | 600 В |
| Ном. ток коллектора IC | 100 А (при 25°C) |
| Пиковый ток | 200 А |
| Мощность потерь | 370 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвора VGE | ±20 В |
| Тепловое сопротивление | 0,25 °C/Вт (переход-корпус) |
| Температура эксплуатации | -40°C до +150°C (Tj) |
| Корпус | 6-выводной, изолированный |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные номера Mitsubishi/Powerex:
- CM100DU-12H (основной)
- CM100DU-12HF (вариант с улучшенными характеристиками)
Совместимые аналоги от других производителей:
- Infineon: FF100R12KS4
- Fuji Electric: 2MBI100U4B-060
- SEMIKRON: SKM100GB12T4
- IXYS: MIXA100U6C0600
Применяемость и замена
Модуль CM100DU-12H можно заменять на аналоги с такими же:
- Напряжением VCES (600 В)
- Током (100 А и выше)
- Структурой (Half-Bridge)
Перед заменой необходимо проверить:
- Распиновку
- Напряжение затвора
- Тепловые характеристики
Если у вас есть конкретное применение или схема, уточните – помогу подобрать оптимальный аналог!