IGBT CM10MD1L-12H

Описание IGBT модуля CM10MD1L-12H

IGBT-модуль CM10MD1L-12H — це модуль на основі біполярного транзистора з ізольованим затвором (IGBT), призначений для високоефективних перемикань у силових електронних пристроях. Він широко використовується в інверторах, перетворювачах частоти, системах керування двигунами та інших промислових застосуваннях.

Модуль має вбудований швидкий діод для зворотної роботи та ізольовану конструкцію, що забезпечує гарну тепловіддачу та легке кріплення на радіатор.

Технічні характеристики

Основні параметри:

• Напруга колектор-емітер (V_CES): 1200 В
• Струм колектора (I_C): 10 А (при 25°C)
• Струм колектора (I_C): 20 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання (P_tot): 50 Вт
• Напруга відсічки затвора (V_GE): ±20 В
• Падіння напруги (V_CE(sat)): 2.1 В (типове)
• Час вмикання (t_on): 60 нс
• Час вимикання (t_off): 100 нс

Вбудований діод:

• Максимальна зворотна напруга (V_RRM): 1200 В
• Прямий струм (I_F): 10 А
• Час відновлення (t_rr): 150 нс

Термічні параметри:

• Температурний діапазон: -40°C до +150°C
• Термічний опір (R_th(j-c)): 1.25°C/Вт

Механічні параметри:

• Корпус: модульний, ізольований
• Кріплення: M3 або M4 гвинти
• Розміри: ~42 × 27 × 12 мм

Парт-номери та сумісні моделі

Альтернативні парт-номери:

• Infineon: IKQ10N120T
• Fuji Electric: 2MBI10U4H-120
• Mitsubishi: CM10MD1L-12H (оригінал)
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Сумісні аналогі:

• IXYS: IXGH10N120B3
• STMicroelectronics: STGW10NC120HD
• Toshiba: MG10Q1BS11

Цей модуль підходить для заміни в більшості застосувань, де використовуються IGBT на 1200 В зі струмом до 10 А. Перед заміною рекомендується перевірити розведення плати та умови охолодження.

Якщо потрібна додаткова інформація або схеми підключення, повідомте!