IGBT CM150DY24A

Описание IGBT CM150DY24A

CM150DY24A — это мощный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Модуль выполнен в корпусе Dual (двухканальный) и содержит два IGBT с антипараллельными диодами, что позволяет использовать его в мостовых схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Производитель | Mitsubishi Electric (теперь часть Renesas) | | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Конфигурация | 2 в 1 (Dual) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Ном. ток коллектора (IC) | 150 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (ICM) | 300 А | | Мощность рассеивания (Pd) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (ton) | 0.3 мкс | | Время выключения (toff) | 1.0 мкс | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Корпус | 6-выводной, модульный (DIP) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги от Mitsubishi/Renesas:

• CM150DY-24A (полный аналог)
• CM150DY-12H (600 В, 150 А)
• CM150DY-24H (1200 В, 150 А, улучшенная версия)
• CM150E3Y-24A (схожие параметры, другая компоновка)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4 (1200 В, 150 А)
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120 (1200 В, 150 А)
• SEMIKRON: SKM150GB12T4 (1200 В, 150 А)

Примечания по замене

1. При замене проверяйте:
   • Распиновку (pinout)
   • Напряжение VCES и ток IC
   • Тип корпуса и крепление
2. Улучшенные версии (например, CM150DY-24H) могут иметь более низкие потери и лучшее охлаждение.

Если требуется модуль с повышенной надежностью, рекомендуется рассматривать Renesas (бывш. Mitsubishi) CM300DY-24A (300 А, 1200 В) для больших нагрузок.

Нужна дополнительная информация по применению или схемы подключения?