IGBT CM150TU12H

Описание IGBT модуля CM150TU12H

CM150TU12H — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Mitsubishi Electric, разработанный для применения в мощных инверторах, преобразователях частоты и других высоковольтных силовых электронных системах. Модуль имеет компактную конструкцию с низкими тепловыми потерями и высокой перегрузочной способностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (6-й генерации) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Ном. ток коллектора (IC) | 150 А (при 25°C) / 75 А (при 100°C) | | Макс. импульсный ток (ICM) | 300 А | | Падение напряжения VCE(sat) | 1.85 В (тип.) | | Время включения/выключения (ton/toff) | 0.3 мкс / 1.2 мкс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/Вт (IGBT) / 0.20 °C/Вт (диод) | | Корпус | 2 в 1 (два IGBT + два диода) | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C | | Изоляция | 2500 В (минимальное) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера Mitsubishi Electric

• CM150TU12H (базовая модель)
• CM150TU12H# (версия с улучшенными параметрами)

Аналоги от других производителей

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Hitachi: MBN150U12H

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Сварочные инверторы
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы рекуперации энергии

Примечания

• Перед заменой на аналог рекомендуется сверять распиновку и параметры.
• Для эффективного охлаждения рекомендуется использовать радиаторы с тепловым сопротивлением не выше 0.05 °C/Вт.

Если нужна дополнительная информация (например, datasheet или советы по применению), уточните!